Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF6618
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF6618-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Αποθέμα:
12822336
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF6618 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Ta), 170A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.35V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5640 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DIRECTFET™ MT
Συσκευασία / Θήκη
DirectFET™ Isometric MT
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,800
Άλλα ονόματα
*IRF6618
SP001523888
IRF6618CT
IRF6618TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFIZ24EPBF
MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP
IRF530N,127
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
PMPB20UN,115
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
