Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF5852
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF5852-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Αποθέμα:
12803886
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF5852 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.25V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
400pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
960mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF58
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
100
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC6305N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
19890
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC6305N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF7316PBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
IRF7325TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
IRF7503TR
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
