IRF5804
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRF5804

Product Overview

Κατασκευαστής:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRF5804-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 40 V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)

Αποθέμα:

12806552
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRF5804 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
198mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
680 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Micro6™(TSOP-6)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
100

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IRLU3103

MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK

infineon-technologies

IPP120N04S402AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3

infineon-technologies

SPP80N06S2-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRLZ34NSTRR

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK