IRF1407STRLPBF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRF1407STRLPBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRF1407STRLPBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK

Αποθέμα:

3999 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12804678
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRF1407STRLPBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
75 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF1407

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
IRF1407STRLPBFTR
SP001564712
IRF1407STRLPBFCT
IRF1407STRLPBFDKR
IRF1407STRLPBF-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IRFS4310ZPBF

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

infineon-technologies

IPW60R040C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3

infineon-technologies

IRF6609TRPBF

MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

infineon-technologies

IPP80N06S2L06AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3