Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPW65R150CFDAFKSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPW65R150CFDAFKSA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Αποθέμα:
220 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12806740
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPW65R150CFDAFKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 900µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2340 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
195.3W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPW65R150
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
240
Άλλα ονόματα
SP000928274
2156-IPW65R150CFDAFKSA1
ROCINFIPW65R150CFDAFKSA1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW31N65M5
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW31N65M5-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFC2604B
MOSFET
SPP15P10PGHKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
IRLS4030TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK