IPW60R031CFD7XKSA1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IPW60R031CFD7XKSA1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IPW60R031CFD7XKSA1-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Αποθέμα:

376 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12801340
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
G6Wm
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IPW60R031CFD7XKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™ CFD7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
63A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
31mOhm @ 32.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1.63mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5623 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
278W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPW60R031

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
SP001617992
IPW60R031CFD7XKSA1-DG
2156-IPW60R031CFD7XKSA1
448-IPW60R031CFD7XKSA1
IPW60R031CFD7

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IPD60R380E6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

infineon-technologies

IPI26CN10N G

MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

infineon-technologies

BSZ099N06LS5ATMA1

MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON

infineon-technologies

IPB65R660CFDAATMA1

MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK