Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPW60R031CFD7XKSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPW60R031CFD7XKSA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Αποθέμα:
376 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12801340
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
DKE1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPW60R031CFD7XKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™ CFD7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
63A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
31mOhm @ 32.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1.63mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5623 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
278W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPW60R031
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
SP001617992
IPW60R031CFD7XKSA1-DG
2156-IPW60R031CFD7XKSA1
448-IPW60R031CFD7XKSA1
IPW60R031CFD7
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPD60R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPI26CN10N G
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
