Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPS60R400CEAKMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPS60R400CEAKMA1-DG
Περιγραφή:
CONSUMER
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 14.7A (Tj) 112W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Αποθέμα:
12805796
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
ghwj
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPS60R400CEAKMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
CoolMOS™ CE
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14.7A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 300µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
700 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
112W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO251-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPS60R400
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,500
Άλλα ονόματα
SP001471292
2156-IPS60R400CEAKMA1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPS60R360PFD7SAKMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
832
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPS60R360PFD7SAKMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.57
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF1010NSTRR
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
IRL3714ZPBF
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
IPS80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
