Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPP60R105CFD7XKSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPP60R105CFD7XKSA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N CH
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 106W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Αποθέμα:
177 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12804850
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
jRPk
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPP60R105CFD7XKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™ CFD7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
21A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 470µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1752 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
106W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPP60R105
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
IPP60R105CFD7XKSA1-DG
448-IPP60R105CFD7XKSA1
SP001715624
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
IPD60R600P6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IRFR3711TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
