Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPP075N15N3GXKSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPP075N15N3GXKSA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Αποθέμα:
833 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12800377
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
2xcZ
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPP075N15N3GXKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 270µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5470 pF @ 75 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPP075
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
INFINFIPP075N15N3GXKSA1
2156-IPP075N15N3GXKSA1
IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-DG
IPP075N15N3G
SP000680832
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSS87H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
IPB011N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB65R095C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK