Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPN95R3K7P7ATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPN95R3K7P7ATMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Αποθέμα:
13762 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12802721
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
uiSR
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPN95R3K7P7ATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
CoolMOS™ P7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
950 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 40µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
196 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-SOT223
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPN95R3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
IPN95R3K7P7ATMA1CT
IPN95R3K7P7ATMA1TR
SP001792330
IPN95R3K7P7ATMA1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSC010N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
IRFR024NTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF3315PBF
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
