Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPI100P03P3L-04
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPI100P03P3L-04-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 100A (Tc) 200W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Αποθέμα:
12803985
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
W38U
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPI100P03P3L-04 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 475µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
+5V, -16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9300 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO262-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPI100P
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
SP000311117
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF7748L1TRPBF
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
IRFHM831TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
IPB120N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
