Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPD95R450P7ATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPD95R450P7ATMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 950 V 14A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Αποθέμα:
2174 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12803488
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
RbLD
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPD95R450P7ATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
CoolMOS™ P7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
950 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
14A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 360µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1053 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO252-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPD95R450
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
IPD95R450P7ATMA1TR
SP001792318
IPD95R450P7ATMA1CT
IPD95R450P7ATMA1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF3305PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IRFI530NPBF
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
