Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPD90N06S407ATMA2
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPD90N06S407ATMA2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Αποθέμα:
31892 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12806132
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPD90N06S407ATMA2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 40µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
79W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO252-3-11
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPD90
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
IPD90N06S407ATMA2-DG
448-IPD90N06S407ATMA2CT
448-IPD90N06S407ATMA2TR
448-IPD90N06S407ATMA2DKR
SP001028680
INFINFIPD90N06S407ATMA2
2156-IPD90N06S407ATMA2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRL1004PBF
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
IRL3716PBF
MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
IRLZ44NL
MOSFET N-CH 55V 47A TO262
