Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPD50R500CEBTMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPD50R500CEBTMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Αποθέμα:
12863635
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
bGN8
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPD50R500CEBTMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
CoolMOS™ CE
Κατάσταση προϊόντος
Discontinued at Digi-Key
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 200µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
433 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
57W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO252-3-11
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPD50R
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
IPD50R500CEBTMA1CT
IPD50R500CEIN
IPD50R500CEINDKR
INFINFIPD50R500CEBTMA1
2156-IPD50R500CEBTMA1
IPD50R500CEBTMA1DKR
IPD50R500CE
IPD50R500CEINTR
IPD50R500CEINDKR-DG
IPD50R500CEIN-DG
IPD50R500CEBTMA1TR
IPD50R500CEINTR-DG
SP000988424
IPD50R500CEINCT-DG
-IPD50R500CE
IPD50R500CEINCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD50R500CEAUMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
21359
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD50R500CEAUMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPD08N50C3ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12211
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPD08N50C3ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.77
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD11NM50N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD11NM50N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.85
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RJK4006DPD-WS#J2
MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
LSIC1MO120E0080
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
IRF734L
MOSFET N-CH 450V 4.9A I2PAK
