Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPD22N08S2L50ATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPD22N08S2L50ATMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Αποθέμα:
5000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12800697
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPD22N08S2L50ATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
75 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 31µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
630 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
75W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO252-3-11
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPD22N08
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SP000252163
IPD22N08S2L-50-DG
IPD22N08S2L50ATMA1CT
IPD22N08S2L-50
IPD22N08S2L50ATMA1TR
IPD22N08S2L50ATMA1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPI120N04S4-01M
MOSFET N-CH TO262-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
IPD65R950CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
