Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPD068N10N3GATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPD068N10N3GATMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Αποθέμα:
10507 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13064013
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
yEet
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPD068N10N3GATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
OptiMOS™
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 90µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4910 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO252-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPD068
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
IPD068N10N3GATMA1TR
SP001127816
IPD068N10N3GATMA1DKR
IPD068N10N3GATMA1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPB65R045C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
IPD530N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
