Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPB12CN10NGATMA2
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPB12CN10NGATMA2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
Αποθέμα:
12801632
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
HKCh
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPB12CN10NGATMA2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
*
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPB12C
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
SP000847712
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB123N10N3GATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7030
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB123N10N3GATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.79
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPC70N04S5L4R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
AUIRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
AUIRF6215
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
