Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPA70R900P7SXKSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPA70R900P7SXKSA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 700V 6A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 20.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Αποθέμα:
386 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12803415
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
dlP7
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPA70R900P7SXKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™ P7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
700 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 60µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.8 nC @ 400 V
Vgs (Μέγ.)
±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
211 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
20.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO220-FP
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPA70R900
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
IPA70R900P7S
IFEINFIPA70R900P7SXKSA1
SP001600942
2156-IPA70R900P7SXKSA1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPC218N04N3X7SA1
MV POWER MOS
IPC30S2SN08NX2MA1
MV POWER MOS
IPB60R299CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
