Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPA60R180C7XKSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPA60R180C7XKSA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Αποθέμα:
299 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12801356
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
ma4g
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPA60R180C7XKSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™ C7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 260µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1080 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
29W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO220 Full Pack
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPA60R
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
SP001296216
2156-IPA60R180C7XKSA1-448
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPB60R099CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
