Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IPA50R190CEXKSA2
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IPA50R190CEXKSA2-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Αποθέμα:
735 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12804898
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
vWFB
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IPA50R190CEXKSA2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tube
Σειρά
CoolMOS™ CE
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 510µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
47.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1137 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
32W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO220-FP
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
IPA50R190
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
INFINFIPA50R190CEXKSA2
SP001364312
2156-IPA50R190CEXKSA2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFR4104TR
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF7353D1TR
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IRF6622TRPBF
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
