Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSZ12DN20NS3GATMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Αποθέμα:
3866 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829322
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
bP1i
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSZ12DN20NS3GATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 25µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TSDSON-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSZ12DN20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
2156-BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1DKR
BSZ12DN20NS3GATMA1TR
BSZ12DN20NS3GCT
IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GDKR
SP000781784
BSZ12DN20NS3GATMA1CT
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20NS3GTR
BSZ12DN20NS3 G
BSZ12DN20NS3GTR-DG
BSZ12DN20NS3GCT-DG
BSZ12DN20NS3GDKR-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC12DN20NS3GATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11979
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.52
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN2R1-40PLQ
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
BUK9Y09-40B,115
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
PMN30UNEX
MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
