Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSZ12DN20NS3GATMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Αποθέμα:
3866 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12829322
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
A
C
h
y
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSZ12DN20NS3GATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 25µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TSDSON-8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSZ12DN20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
BSZ12DN20NS3GATMA1
Φύλλα δεδομένων
BSZ12DN20NS3G
HTML Δελτίο δεδομένων
BSZ12DN20NS3GATMA1-DG
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
2156-BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1DKR
BSZ12DN20NS3GATMA1TR
BSZ12DN20NS3GCT
IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GDKR
SP000781784
BSZ12DN20NS3GATMA1CT
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20NS3GTR
BSZ12DN20NS3 G
BSZ12DN20NS3GTR-DG
BSZ12DN20NS3GCT-DG
BSZ12DN20NS3GDKR-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC12DN20NS3GATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11979
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.52
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PSMN2R1-40PLQ
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
BUK9Y09-40B,115
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
PMN30UNEX
MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
BUK964R1-40E,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK