Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSS209PW
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSS209PW-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 580mA (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
Αποθέμα:
12798426
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSS209PW Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
580mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 3.5µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.38 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
89.9 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
520mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-SOT323
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
BSS209PWINCT-NDR
BSS209PWXTINTR-DG
SP000013478
BSS209PWXT
BSS209PWXTINCT
BSS209PWINTR
BSS209PWINTR-NDR
BSS209PWXTINTR
BSS209PWXTINCT-DG
BSS209PWINCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMF170XP,115
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
141252
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMF170XP,115-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AUIRFB8409
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
BSL716SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 75V 2.5A TSOP-6
AUIRFU1010Z
MOSFET N-CH 55V 91A TO262
