Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSS192PH6327XTSA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSS192PH6327XTSA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Αποθέμα:
12799693
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
IiTx
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSS192PH6327XTSA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
SIPMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 130µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
104 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-SOT89
Συσκευασία / Θήκη
TO-243AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSS192
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
SP001195030
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS192PH6327FTSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
22508
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSS192PH6327FTSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSO4420T
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IPD50R800CEATMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPD50R280CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
