Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSC050NE2LSATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSC050NE2LSATMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 58A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Αποθέμα:
26172 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12799260
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
0U0Y
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSC050NE2LSATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
39A (Ta), 58A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760 pF @ 12 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TDSON-8-5
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSC050
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
BSC050NE2LSATMA1CT
BSC050NE2LSDKR
BSC050NE2LSATMA1DKR
BSC050NE2LSCT
BSC050NE2LS-DG
SP000756340
BSC050NE2LS
BSC050NE2LSATMA1TR
BSC050NE2LSCT-DG
BSC050NE2LSDKR-DG
BSC050NE2LSTR-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPA65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
BSZ068N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
BSC060N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON