Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
AUIRFS3006-7TRL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
AUIRFS3006-7TRL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Αποθέμα:
12839407
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
AUIRFS3006-7TRL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
240A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 168A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8850 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
375W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
SP001521716
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB180N06S4H1ATMA2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6672
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.78
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB017N06N3GATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB017N06N3GATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQPF34N20L
MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
HUF75343S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FQD4P25TM-WS
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
