Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
AIMBG120R010M1XTMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
AIMBG120R010M1XTMA1-DG
Περιγραφή:
SIC_DISCRETE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 187A Surface Mount PG-TO263-7-12
Αποθέμα:
810 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12988988
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
AIMBG120R010M1XTMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
CoolSiC™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
187A
Δυνατότητα FET
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO263-7-12
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Βασικός αριθμός προϊόντος
AIMBG120
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
448-AIMBG120R010M1XTMA1TR
448-AIMBG120R010M1XTMA1CT
SP005411519
448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSC110N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100V
IPC313N10N3RX1SA2
TRENCH >=100V
CMS3400-HF
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
