Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
94-3250
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
94-3250-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
Αποθέμα:
12798248
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
94-3250 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
-
Σειρά
HEXFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta), 49A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 12A, 7V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2270 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DIRECTFET™ MQ
Συσκευασία / Θήκη
DirectFET™ Isometric MQ
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF6604
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,800
Άλλα ονόματα
IRF6604TR
94-3250TR
SP001525592
IRF6604
IRF6604CT-DG
IRF6604TR-DG
*IRF6604
94-3250CT
IRF6604CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AUIRFSA8409-7P
MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
AUIRFS8407-7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
AUIRL2203N
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
