Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ICE11N70
Product Overview
Κατασκευαστής:
IceMOS Technology
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ICE11N70-DG
Περιγραφή:
Superjunction MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-220
Αποθέμα:
100 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001660
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ICE11N70 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
IceMOS Technology
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
700 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2750 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
108W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
5133-ICE11N70
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ICE60N130
Superjunction MOSFET
IPW95R060PFD7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3
G04P10HE
P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
