RFP6P10
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RFP6P10

Product Overview

Κατασκευαστής:

Harris Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RFP6P10-DG

Περιγραφή:

P-CHANNEL POWER MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB

Αποθέμα:

42094 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12935541
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RFP6P10 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
567
Άλλα ονόματα
HARHARRFP6P10
2156-RFP6P10

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDP16N50

MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3

onsemi

MMDF6N02HDR2

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

harris-corporation

SK3991

MOSFET 2N-CH 25V 0.03A TO72

harris-corporation

RFP2N08

N-CHANNEL, MOSFET