Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RFL4N15
Product Overview
Κατασκευαστής:
Harris Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RFL4N15-DG
Περιγραφή:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 4A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Αποθέμα:
1187 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12938038
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RFL4N15 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
850 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
8.33W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-205AF (TO-39)
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AF Metal Can
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
272
Άλλα ονόματα
2156-RFL4N15
HARHARRFL4N15
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
UPA1526H-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFG75N05E
N-CHANNEL POWER MOSFET
NTD78N03R-001
N-CHANNEL POWER MOSFET
