IRFR9120
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRFR9120

Product Overview

Κατασκευαστής:

Harris Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRFR9120-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 5.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

975 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12817388
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRFR9120 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
390 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFR9120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
307
Άλλα ονόματα
2156-IRFR9120-HC
HARHARIRFR9120

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
fairchild-semiconductor

FQPF12N60

MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI47P06TU

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK

fairchild-semiconductor

FQU7N20TU

MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK

fairchild-semiconductor

HUFA75309T3ST

MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4