Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRFD213
Product Overview
Κατασκευαστής:
Harris Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRFD213-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 450mA (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Αποθέμα:
5563 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12817576
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRFD213 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
450mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-HVMDIP
Συσκευασία / Θήκη
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
468
Άλλα ονόματα
HARHARIRFD213
2156-IRFD213-HC
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
