Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRFD110
Product Overview
Κατασκευαστής:
Harris Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRFD110-DG
Περιγραφή:
1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Αποθέμα:
44368 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12941176
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRFD110 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Συσκευασία / Θήκη
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFD110
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
523
Άλλα ονόματα
2156-IRFD110
HARHARIRFD110
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MTD6N10E1
NFET DPAK 100V 0.40R
IRF820
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
IRF6892STRPBF
25V 999A DIRECTFET-LV
