Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G700P06J
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G700P06J-DG
Περιγραφή:
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 23A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251
Αποθέμα:
135 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13002460
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G700P06J Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
23A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1465 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-251
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
3141-G700P06J
4822-G700P06J
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IMYH200R024M1HXKSA1
SIC DISCRETE
SIHG150N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
IGLR60R260D1XUMA1
GAN HV
