Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G58N06K
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G58N06K-DG
Περιγραφή:
N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252
Αποθέμα:
2385 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13004172
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G58N06K Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
58A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2841 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
71W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
3141-G58N06KCT
3141-G58N06KTR
4822-G58N06KTR
3141-G58N06KDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FK3306010L
TMOS-GENERAL SWITCHING
GSFKW0202
MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
G7K2N20LLE
N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
