G40P03K
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

G40P03K

Product Overview

Κατασκευαστής:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

G40P03K-DG

Περιγραφή:

P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 40A (Tc) 138W (Tc) Surface Mount TO-252

Αποθέμα:

1976 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13000890
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

G40P03K Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
138W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
3141-G40P03KCT
3141-G40P03KDKR
3141-G40P03KTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
microchip-technology

MSCSM120SKM31CTBL1NG

PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

diodes

DMT69M5LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

rohm-semi

SCT4036KEHRC11

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

diodes

DMTH8008SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50