G300P06S
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

G300P06S

Product Overview

Κατασκευαστής:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

G300P06S-DG

Περιγραφή:

P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 12A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Αποθέμα:

3533 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997778
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

G300P06S Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2719 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
3141-G300P06SDKR
3141-G300P06STR
3141-G300P06SCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RH6L040BGTB1

NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET

rohm-semi

RCJ331N25TL

250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO

renesas-electronics-america

2SK4150TZ-E

2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF

rohm-semi

RW4E045AJTCL1

NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0