Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G130N06S
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G130N06S-DG
Περιγραφή:
MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 9A (Tc) 2.6W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Αποθέμα:
3990 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13004432
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G130N06S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3068 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
3141-G130N06STR
4822-G130N06STR
3141-G130N06SCT
3141-G130N06SDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TSM3457CX6
-30V, -5A, SINGLE P-CHANNEL POWE
G7K2N20LLE
MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-23-6
SSF02N15
MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.4A, 150V
