Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G04P10HE
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G04P10HE-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 4A (Tc) 1.2W (Tc) Surface Mount SOT-223
Αποθέμα:
20000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13001634
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G04P10HE Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
4822-G04P10HETR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SISHA18ADN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
PSMN2R1-30YLEX
PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
DMN39M1LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
