Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
GPI65060DFC
Product Overview
Κατασκευαστής:
GaNPower
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
GPI65060DFC-DG
Περιγραφή:
GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 60A Surface Mount 8-DFN (8x8)
Αποθέμα:
97 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13243257
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
GPI65060DFC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
GaNPower
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 3.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16 nC @ 6 V
Vgs (Μέγ.)
+7.5V, -12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
420 pF @ 400 V
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
8-DFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
4025-GPI65060DFCTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
3A001
HTSUS
8541.49.7500
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
GPI90010DF88
GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8
GPI90007DF88
GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8
GPI90005DF88
GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8
