Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EPC2016C
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EPC2016C-DG
Περιγραφή:
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 18A (Ta) Surface Mount Die
Αποθέμα:
177045 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12818017
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EPC2016C Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
420 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Die
Συσκευασία / Θήκη
Die
Βασικός αριθμός προϊόντος
EPC20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
917-1080-1
917-1080-2
917-1080-6
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EPC2052
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
EPC
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
97791
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EPC2052-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.59
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EPC2010
GANFET N-CH 200V 12A DIE
RSJ800N06TL
MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
RQ3E130MNTB1
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8