EPC2016C
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EPC2016C

Product Overview

Κατασκευαστής:

EPC

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EPC2016C-DG

Περιγραφή:

GANFET N-CH 100V 18A DIE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 18A (Ta) Surface Mount Die

Αποθέμα:

177045 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12818017
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EPC2016C Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
420 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Die
Συσκευασία / Θήκη
Die
Βασικός αριθμός προϊόντος
EPC20

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
917-1080-1
917-1080-2
917-1080-6

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EPC2052
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
EPC
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
97791
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EPC2052-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.59
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
epc

EPC2010

GANFET N-CH 200V 12A DIE

rohm-semi

RSJ800N06TL

MOSFET N-CH 60V 80A LPTS

rohm-semi

RQ3E130MNTB1

MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

rohm-semi

R6012FNJTL

MOSFET N-CH 600V 12A LPT