Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EPC2001C
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EPC2001C-DG
Περιγραφή:
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 36A (Ta) Surface Mount Die
Αποθέμα:
122917 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12814786
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EPC2001C Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
36A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Die
Συσκευασία / Θήκη
Die
Βασικός αριθμός προϊόντος
EPC20
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
917-1079-6
917-1079-1
917-1079-2
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EPC2204
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
EPC
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
39534
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
EPC2204-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.98
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF3709ZCSTRL
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
IRF7401PBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
