Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FBG30N04CC
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FBG30N04CC-DG
Περιγραφή:
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 300 V 4A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Αποθέμα:
58 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997462
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FBG30N04CC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC Space
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
300 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
404mOhm @ 4A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 600µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.6 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
450 pF @ 150 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-SMD
Συσκευασία / Θήκη
4-SMD, No Lead
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
169
Άλλα ονόματα
4107-FBG30N04CC
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PH4030DLVX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
IXFH46N65X3
MOSFET 46A 650V X3 TO247
PJS6403_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
