Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FBG04N30BC
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FBG04N30BC-DG
Περιγραφή:
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 30A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Αποθέμα:
161 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997406
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FBG04N30BC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC Space
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
FSMD-B
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 9mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11.4 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1300 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-SMD
Συσκευασία / Θήκη
4-SMD, No Lead
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
154
Άλλα ονόματα
4107-FBG04N30BC
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
25P06
MOSFET P-CH 60V 25A TO-252
SQA600CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
FDD6685-G
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
