Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FBG04N08AC
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FBG04N08AC-DG
Περιγραφή:
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 8A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Αποθέμα:
196 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12997536
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FBG04N08AC Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC Space
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.8 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
312 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-SMD
Συσκευασία / Θήκη
4-SMD, No Lead
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
169
Άλλα ονόματα
4107-FBG04N08AC
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
CMS3402-HF
MOSFET P-CH 30V SOT23
PMN15ENEX
MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
2N7002KWHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-323
