Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EPC7018GSH
Product Overview
Κατασκευαστής:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EPC7018GSH-DG
Περιγραφή:
GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 80A (Tc) Surface Mount 5-SMD
Αποθέμα:
42 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13239704
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EPC7018GSH Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC Space
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 12mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11.7 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1240 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
5-SMD
Συσκευασία / Θήκη
5-SMD, No Lead
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
4107-EPC7018GSH
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
G2R1000MT33J-TR
3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
G3R350MT12J-TR
1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
G3R160MT17J-TR
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF