EPC7003AC
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EPC7003AC

Product Overview

Κατασκευαστής:

EPC Space, LLC

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EPC7003AC-DG

Περιγραφή:

GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 10A (Tc) Surface Mount 4-SMD

Αποθέμα:

144 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13002661
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EPC7003AC Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
EPC Space
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
42mOhm @ 10A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1.4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.5 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
168 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-SMD
Συσκευασία / Θήκη
4-SMD, No Lead

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
4107-EPC7003A
4107-EPC7003A-DG
EPC7003A
4107-EPC7003AC

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS
0000.00.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN2710UFB-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K824R,LF

N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03

vishay-siliconix

SIHP074N65E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

vishay-siliconix

SQS181ELNW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)