Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMP6A17DN8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMP6A17DN8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
1405 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12903384
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMP6A17DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
637pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
1.81W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMP6A17
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMP6A17DN8TR
ZXMP6A17DN8TR-NDR
ZXMP6A17DN8CT
ZXMP6A17DN8DKR-NDR
ZXMP6A17DN8DKR
ZXMP6A17DN8CT-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSS138DW-7-F
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
ZXMN3A06DN8TC
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
ZXMD65P03N8TA
MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
