ZXMP6A17DN8TA
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZXMP6A17DN8TA

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZXMP6A17DN8TA-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO

Αποθέμα:

1405 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12903384
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZXMP6A17DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
637pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
1.81W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMP6A17

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMP6A17DN8TR
ZXMP6A17DN8TR-NDR
ZXMP6A17DN8CT
ZXMP6A17DN8DKR-NDR
ZXMP6A17DN8DKR
ZXMP6A17DN8CT-NDR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

BSS138DW-7-F

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363

diodes

ZXMN3A06DN8TC

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO

diodes

ZXMD65P03N8TA

MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

fairchild-semiconductor

FDJ1028N

MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC75-6