Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMN6A25DN8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMN6A25DN8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 3.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
1766 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12887820
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMN6A25DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.8A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA (Min)
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
20.4nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1063pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
1.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMN6A25DN8-DG
ZXMN6A25DN8CT
ZXMN6A25DN8DKR
ZXMN6A25DN8TR-NDR
Q3400736
ZXMN6A25DN8TR
ZXMN6A25DN8
ZXMN6A25DN8CT-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMHC4035LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
DMC2020USD-13
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
DMC3028LSDXQ-13
MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
