ZXMN6A09DN8TA
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

ZXMN6A09DN8TA

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

ZXMN6A09DN8TA-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SO

Αποθέμα:

9070 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12902712
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

ZXMN6A09DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24.2nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1407pF @ 40V
Ισχύς - Μέγιστη
1.25W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN6

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMN6A09DN8TR
ZXMN6A09DN8CT-NDR
ZXMN6A09DN8CT
ZXMN6A09DN8TR-NDR
ZXMN6A09DN8DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

ZXMN6A09DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO

diodes

ZXMC3AM832TA

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

renesas-electronics-america

KGF20N035D

MOSFET N-CH 20WLCSP

diodes

ZXMD63N03XTC

MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP