Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ZXMN6A09DN8TA
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ZXMN6A09DN8TA-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SO
Αποθέμα:
9070 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12902712
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ZXMN6A09DN8TA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24.2nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1407pF @ 40V
Ισχύς - Μέγιστη
1.25W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Βασικός αριθμός προϊόντος
ZXMN6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
ZXMN6A09DN8TR
ZXMN6A09DN8CT-NDR
ZXMN6A09DN8CT
ZXMN6A09DN8TR-NDR
ZXMN6A09DN8DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ZXMN6A09DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMC3AM832TA
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
KGF20N035D
MOSFET N-CH 20WLCSP
